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J-GLOBAL ID：200903006265634854

磁気抵抗効果膜及びその製造方法

Inventor： 藤方 潤一 ,  中田 正文
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 高橋 勇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996347219
Publication number (International publication number)：1998188235
Application date： Dec. 26, 1996
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ゼロ磁場前後で直線的に大きな抵抗変化を示し、しかも熱安定性及び磁界感度の優れた磁気抵抗効果膜及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の磁気抵抗効果膜は、磁性薄膜1と反強磁性結合した磁性多層膜2とが非磁性薄膜3を介して隣接していることを特徴とする。磁性薄膜1と磁性多層膜2との飽和磁界をそれぞれH<SB>S1</SB>,H<SB>S2</SB>とすると、H<SB>S1</SB><H<SB>S2</SB>となる。また、反強磁性薄膜5に磁性多層膜2が積層されている。磁性多層膜2は、磁性層21、非磁性層22及び磁性層23の三層からなる。

Claim (excerpt)：

磁性薄膜と反強磁性結合した磁性多層膜とが非磁性薄膜を介して隣接していることを特徴とする磁気抵抗効果膜。

IPC (2)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/08

FI (2)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 磁気抵抗効果素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-318790   Applicant：富士通株式会社
• 磁気抵抗効果素子及び磁気情報再生方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-060612   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果膜およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-082906   Applicant：日本電気株式会社