薄膜形成方法及び薄膜形成装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：谷川昌夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000311544
Publication number (International publication number)：2002121660
Application date： Oct. 12, 2000
Publication date： Apr. 26, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】基体への膜密着性に優れるとともに膜生産性の点でも優れた炭素薄膜の形成方法及び装置を提供する【解決手段】第1工程では、陰極物質31として薄膜を構成する原子(例えば炭素原子)を含む物質を用い、薄膜を構成する原子とは異なる第2の原子(例えばシリコン原子)を含むガス雰囲気中で該陰極物質から真空アーク放電させて該陰極物質及びガス由来のプラズマを発生させ、該プラズマのもとで薄膜CFを構成する原子及び第2原子を含んで基体W及び薄膜CFの双方に密着性のよい中間膜MFを形成し、第2工程で、陰極物質31として薄膜を構成する原子(例えば炭素原子)を主として含む物質を用い、該陰極物質から真空アーク放電させて該陰極物質由来のプラズマを発生させ、該プラズマのもとで薄膜(例えば炭素薄膜)CFを形成する。

Claim (excerpt)：

基体に目的とする薄膜を形成する薄膜形成方法であり、前記基体上に真空アーク蒸着法により中間膜を形成する第1の工程と、前記第1の工程により形成される中間膜上に該第1の工程に引き続いて真空アーク蒸着法により前記目的とする薄膜を形成する第2の工程とを含み、前記第1の工程においては、真空アーク放電を起こさせる陰極物質として炭素原子及びシリコン原子を含む物質を用い、該陰極物質から真空アーク放電させて該陰極物質由来のプラズマを発生させ、該プラズマのもとで炭化シリコン中間膜を形成し、前記第2の工程においては、真空アーク放電を起こさせる陰極物質として炭素原子を主として含む物質を用い、該陰極物質から真空アーク放電させて該陰極物質由来のプラズマを発生させ、該プラズマのもとで前記目的とする薄膜として炭素薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (2)：

C23C 14/06 , C23C 14/24

FI (3)：

C23C 14/06 F , C23C 14/06 P , C23C 14/24 G

F-Term (15)：

4K029AA02 , 4K029AA04 , 4K029BA34 , 4K029BA56 , 4K029BB02 , 4K029BC02 , 4K029BD04 , 4K029CA01 , 4K029CA02 , 4K029CA13 , 4K029DA00 , 4K029DB05 , 4K029DB17 , 4K029EA04 , 4K029FA04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

硬質炭素膜被覆部材
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-179013 Applicant：住友電気工業株式会社
特開平1-263264
特表平6-508235

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