スピントンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：富田和子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998120504
Publication number (International publication number)：1999316919
Application date： Apr. 30, 1998
Publication date： Nov. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】スピントンネル磁気抵抗効果(TMR)を用いる再生用ヘッドであって、抵抗変化率の検出効率が高く、実用化可能なヘッド構造を提供する。【解決手段】磁気抵抗効果膜20と、磁気抵抗効果膜20の膜厚方向に電流を流すために、磁気抵抗効果膜20を挟む一対の電極膜5、8とを有する。磁気抵抗効果膜20は、順に重ねられた、自由層3と、絶縁層1と、固定層2と、反強磁性層4とを備える。また、磁気抵抗効果膜20の両脇には、自由層3の磁区を制御するために、自由層3にバイアスをかける一対の磁区制御膜7を配置する。このとき、磁区制御膜7を、固定層2と接触しない位置に配置することにより、電極膜5、8から磁気抵抗効果膜20の膜厚方向に流れる電流が、磁区制御膜7を通ってリークすることを防止する。

Claim (excerpt)：

磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜厚方向に電流を流すために、前記磁気抵抗効果膜を挟む一対の電極膜とを有し、前記磁気抵抗効果膜は、順に重ねられた、強磁性層を含む自由層と、絶縁層と、強磁性層を含む固定層と、前記固定層の磁化を固定する反強磁性層とを備え、前記磁気抵抗効果膜の両脇には、前記自由層の磁区を制御するために、前記自由層にバイアスをかける一対の磁区制御膜が配置され、前記磁区制御膜は、前記固定層と接触しない位置に配置されていることを特徴とするスピントンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド。

IPC (3)：

G11B 5/39 , G01R 33/09 , H01L 43/08

FI (3)：

G11B 5/39 , H01L 43/08 Z , G01R 33/06 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

強磁性トンネル素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-259938 Applicant：富士通株式会社
磁気ヘッド及び磁気記録装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-096573 Applicant：富士通株式会社
磁気抵抗効果素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-067085 Applicant：住友金属工業株式会社

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