窒化シリコン膜の形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994055241
Publication number (International publication number)：1995240410
Application date： Feb. 28, 1994
Publication date： Sep. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】従来の窒化シリコン膜の形成方法のようにRTN処理といった熱処理を施す必要がなく、半導体装置の製造工程の増加を招かず、しかも高い容量を有する非常に薄い高品質の窒化シリコン膜を基体上に形成することを可能にする窒化シリコン膜の形成方法を提供する。【構成】酸化膜除去装置で基体表面の自然酸化膜を除去した後、ロードロック室及び成膜室を備えた窒化シリコン成膜装置のロードロック室に基体を搬送し、減圧状態にてロードロック室内を不活性ガスで置換した後、ロードロック室から成膜室に基体を搬送して、基体表面に窒化シリコン膜を成膜する。

Claim (excerpt)：

基体上に窒化シリコンを形成する方法であって、酸化膜除去装置で基体表面の自然酸化膜を除去した後、ロードロック室及び成膜室を備えた窒化シリコン成膜装置のロードロック室に基体を搬送し、減圧状態にてロードロック室内を不活性ガスで置換した後、ロードロック室から成膜室に基体を搬送して、基体表面に窒化シリコン膜を成膜することを特徴とする窒化シリコン膜の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/318 , H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

窒化シリコン膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-194428 Applicant：日本電気株式会社
半導体集積回路装置の製造方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-179224 Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立マイコンシステム
特開平4-014222

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Cited by examiner (2)

窒化シリコン膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-194428 Applicant：日本電気株式会社
半導体集積回路装置の製造方法および装置
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