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J-GLOBAL ID：200903006336010431

磁気トンネル接合積層型ヘッド及びその製法

Inventor：
西岡 浩一

About 西岡 浩一


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000203059
Publication number (International publication number)：2002025013
Application date： Jun. 30, 2000
Publication date： Jan. 25, 2002
Summary：
【要約】【課題】Abutted junction型の磁区制御を磁気トンネル結合積層センサに用いた場合、永久磁石層とトンネル接合との絶縁を確保すると磁区制御力が低下し、磁区制御力を強くすると絶縁性が劣化する。【解決手段】反強磁性層と、該反強磁性層に隣接しこの層の磁化により磁気的に固定された固定強磁性層と、該反強磁性層の磁化から磁気的に自由な自由強磁性層と、これらの強磁性層間に挟まれた絶縁層と、上記自由強磁性層を磁区制御する磁区制御層と、これらの層に電流を印加する一対の電極とを有する磁気トンネル接合積層型ヘッドの上記磁区制御層は、上記自由強磁性層と上記電極の一方との間に形成された磁気トンネル接合積層型ヘッドとする。【効果】自由強磁性層の良好な磁区制御力を有する磁気トンネル接合積層センサが提供できる。
Claim (excerpt)：
反強磁性層と、該反強磁性層に隣接しこの層の磁化により磁気的に固定された固定強磁性層と、該反強磁性層の磁化から磁気的に自由な自由強磁性層と、これらの強磁性層間に挟まれた絶縁層と、これらの層に電流を印加する一対の電極とを有し、上記自由強磁性層と上記電極の一方との間に、上記自由強磁性層を磁区制御する磁区制御層を形成したことを特徴とする磁気トンネル接合積層型ヘッド。
IPC (7)：
G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  H01F 10/12 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12
FI (7)：
G11B 5/39 ,  H01F 10/12 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R
F-Term (21)：
2G017AA10 ,  2G017AB03 ,  2G017AD55 ,  2G017CB27 ,  2G017CB28 ,  2G017CB29 ,  2G017CD00 ,  5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034BA08 ,  5D034BB08 ,  5D034CA04 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07 ,  5E049AA04 ,  5E049AA10 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02 ,  5E049DB14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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