p型窒化物半導体の製造方法及び窒化物半導体素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996296872
Publication number (International publication number)：1998144960
Application date： Nov. 08, 1996
Publication date： May. 29, 1998
Summary：

【要約】【目的】主としてキャリア濃度の高いp型窒化物半導体が得られる製造方法を提供することにより、そのp型窒化物半導体を用いた各種デバイスの発光効率、受光効率を向上させる。【構成】気相成長法により、n型不純物とp型不純物とを同時にドープして、さらに結晶中に水素を含む窒化物半導体を成長させた後、その窒化物半導体層中に含まれる水素を除く方法と、n型窒化物半導体層と、インジウムを含む窒化物半導体よりなる活性層と、p型窒化物半導体層と、p電極層とを順に有する窒化物半導体素子において、前記活性層と、前記p電極層との間に、p型不純物とn型不純物とがドープされたp型窒化物半導体層を少なくとも1層有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

気相成長法により、n型不純物とp型不純物とを同時にドープして、さらに結晶中に水素を含む窒化物半導体を成長させた後、その窒化物半導体層中に含まれる水素を除くことを特徴とするp型窒化物半導体の製造方法。

IPC (4)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01L 21/324 , H01S 3/18

FI (4)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205 , H01L 21/324 C , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体レーザ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-330425 Applicant：株式会社東芝
特許第2576819号
p型半導体膜および半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-332199 Applicant：株式会社東芝

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