p型半導体膜および半導体素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996332199
Publication number (International publication number)：1997321389
Application date： Dec. 12, 1996
Publication date： Dec. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】高キャリア濃度を有するp型半導体膜を具備する半導体素子を提供する。【解決手段】 p型半導体層とn型半導体層とによるpn接合を有し、前記p型半導体層中にp型導電性を付与するためのアクセプター性不純物と残留ドナーを補償するためのアクセプター性不純物とを含むことを特徴とする半導体素子である。

Claim (excerpt)：

半導体膜にp型導電性を付与するためのアクセプター性不純物と残留ドナーを補償するためのアクセプター性不純物とを含むことを特徴とするp型半導体膜。

IPC (4)：

H01S 3/18 , H01L 29/20 , H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (4)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C , H01L 21/205 , H01L 29/20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-305257 Applicant：旭化成工業株式会社
II-VI族化合物半導体及びその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-134100 Applicant：ソニー株式会社
pn接合型発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-121203 Applicant：シャープ株式会社

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