エッチング方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：金本哲男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994085575
Publication number (International publication number)：1994338479
Application date： Mar. 31, 1994
Publication date： Dec. 06, 1994
Summary：

【要約】【目的】被処理体の下地の膜種によらず高い選択比のエッチングを行う。【構成】処理室2内の半導体ウエハWに対してエッチングを行う場合、エッチング反応ガスとして、Hを含まないCxFy系ガスとCOとの混合ガスを含むエッチングガスを用いる。CxFy系ガスはC4F8ガスとし、COの上記混合ガスにおける混合比率は50%以上とすることが好ましい。【効果】対Alでは50、対SiNでは20、対TiNでは40という高い選択比が得られる。

Claim (excerpt)：

処理室内に処理ガスを導入して当該処理室内の被処理体に対してエッチングを行う方法において、前記処理ガスとして、Hを含まない少なくとも4族と7族の元素を含有するガスとCOとの混合ガスを含むエッチングガスを用いることを特徴とする、エッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/302 , C23F 4/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平4-290428
半導体装置の製造方法及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-030743 Applicant：住友金属工業株式会社, 三菱電機株式会社
スルーホールの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-211613 Applicant：沖電気工業株式会社

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