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J-GLOBAL ID：200903006413502245

薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor： 前田 茂伸
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 吉田 茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995167475
Publication number (International publication number)：1997018007
Application date： Jul. 03, 1995
Publication date： Jan. 17, 1997
Summary：

【要約】【目的】 オン電流を向上させ、オフ電流を低減する。【構成】 シリコン薄膜5は多結晶であり、チャネル6には、ゲート絶縁膜4を挟んでゲート電極3が対向し、ドレイン領域7およびソース領域8には、それぞれドレイン電極10およびソース電極11が接続されている。シリコン薄膜5は、ゲート絶縁膜4の上にアモルファスSiを薄膜状に堆積した後に、固相成長で多結晶化されることによって得られている。しかも、多結晶化された後に、酸化処理とRTAとが施されることによって、(111)面方位に次いで(311)面方位の比率が高くなっている。このため、シリコン薄膜5における移動度が高く、さらに酸化膜との界面準位が小さいので、オン電流が高く、オフ電流が低い。【効果】 オン電流が高く、オフ電流が低い。

Claim (excerpt)：

能動領域が多結晶の半導体薄膜で構成された薄膜トランジスタであって、前記半導体薄膜の面方位の比率において、(111)面に次いで(311)面が最も高いことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 620 ,  H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 薄膜半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-200861   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-343951   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所