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J-GLOBAL ID：200903006446968150

多層配線基板とそれを用いた半導体装置および多層配線基板の製造方法

Inventor： 杉山 寿 ,  北村 直也 ,  山口 欣秀 ,  吉澤 千絵 ,  京井 正之 ,  山村 英穂 ,  松本 邦夫
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 高橋 明夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994159059
Publication number (International publication number)：1996032240
Application date： Jul. 12, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】貫通めっきスルーホールの穴を形成した多層配線基板において、その外側に形成する絶縁膜と銅の逐次積層形薄膜層において高密度に配線を可能にする。また、低コストで、放熱性および高周波特性に優れた構造の多層配線基板を製造可能にする。【構成】両面プリント板の穴埋めされた貫通めっきスルーホールのランドを一部拡張した部分に、その外側の配線層との接続をとるためのビアを形成し、その上に逐次積層形薄膜層を形成する。また、スルーホール上に柱状の銅体を形成して、熱伝導率の良い導体で他の半導体等と接続する。さらに、基板の配線領域を絶縁体とグランド層で遮蔽する。また、これらの製造方法において、フィラー含有無溶剤形流動性高分子前駆体を加熱溶融させて、精密定量吐き出し装置にて、基板上に供給する。

Claim (excerpt)：

コアとなる両面プリント板と、その上または下に形成される配線層とを有する多層配線基板において、前記コアとなる両面プリント板は、穴埋めされた貫通めっきスルーホールを備え、その穴埋めされた貫通めっきスルーホールの周縁に存在するランドを拡張して、拡張ランド部を形成して、その拡張ランド部の表面に、前記上または下に形成される配線層との接続をとるためのビアを形成して成ることを特徴とする多層配線基板。

IPC (5)：

H05K 3/46 ,  H01L 23/12 ,  H05K 1/02 ,  H05K 3/38 ,  H05K 3/42

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-142896
  
• 多層配線基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-098185   Applicant：日本電装株式会社
• 多層プリント配線板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-076203   Applicant：イビデン株式会社