薄膜トランジスタ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997258822
Publication number (International publication number)：1999097699
Application date： Sep. 24, 1997
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】閾値電圧の低下を抑制された、電気的特性および信頼性に優れた薄膜トランジスタを提供することにある。【解決手段】ゲート絶縁膜を介して半導体層22のチャネル領域上に設けられたゲート電極24は、チャネル領域よりも小さな面積を有しているとともに、チャネル領域の輪郭線の内側に位置するように設けられている。このゲート電極は、接続電極40を介してゲート線14に接続されている。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に設けられているとともに、チャネル領域と、チャネル領域の両側にそれぞれ位置したソース領域およびドレイン領域とを有する半導体層と、上記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、上記チャネル領域に対向してゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を備え、上記ゲート電極は、その輪郭線が上記チャネル領域の上面の輪郭線の内側に含まれれるよう形成され、上記ゲート電極は、層間絶縁膜を介してゲート電極上に形成された接続電極によりゲート線に接続されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 500

FI (2)：

H01L 29/78 617 J , G02F 1/136 500

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平4-206775
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-256198 Applicant：富士通株式会社
ドライバ内蔵型液晶表示パネルおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-316915 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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