Pat

J-GLOBAL ID：200903006542437611

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 下石坂 望 ,  佐原 隆一 ,  中村 嘉文 ,  隈川 隆博
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998050343
Publication number (International publication number)：1999251348
Application date： Mar. 03, 1998
Publication date： Sep. 17, 1999
Summary：

【要約】【課題】 金線と樹脂基板と金属ボールとを用いず、外部装置と確実に接続され小型化かつ低価格化された半導体装置を実現する。【解決手段】 半導体チップ10の主面上に、電極11の上方に設けられた開口と該開口以外の部分に設けられた突起22とを有する絶縁層20と、突起22上に設けられ外部装置に接続されるための突起状電極32と、突起状電極32と電極11に接続されたパッド30とを接続するための金属配線31と、主面の突起状電極32以外の部分を覆うように形成されたソルダーレジスト50とを備える。金線と樹脂基板と金属ボールとに代えて、各々絶縁層20上に設けられた金属配線31と突起状電極32とを用いるので、外部装置と確実に接続され、小型化と材料コストの削減とが可能な半導体装置が実現される。

Claim (excerpt)：

半導体チップを有する半導体装置であって、前記半導体チップの主面上に形成された電極と、前記主面上に形成され前記電極の上方部分には開口を、該開口を除くいずれかの部分には突起をそれぞれ有する絶縁層と、前記突起の上に形成された突起状電極と、前記絶縁層の上にわたって形成され前記電極と前記突起状電極とを接続する金属配線とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/60 ,  H01L 21/3205

FI (4)：

H01L 21/92 602 M ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/92 602 Z ,  H01L 21/92 604 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-272737
  
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-047154   Applicant：株式会社東芝
• 特開昭62-205648
  
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-002976   Applicant：松下電子工業株式会社