半導体装置及びその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998002976
Publication number (International publication number)：1999204560
Application date： Jan. 09, 1998
Publication date： Jul. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】熱応力等に起因する金属配線の断線等を防止できる、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体チップ10の電極を露出させた開口部を有する低弾性率層20と、半導体チップ10と低弾性率層20との間に介在する樹脂層15と、半導体チップ10の電極上に設けられたパッド30と、低弾性率層20の上に設けられたランド32と、該ランド32とパッド30とを接続するための金属配線31と、ランド32を開口して設けられたソルダーレジスト50と、ランド32上に設けられた金属ボール40とを備え、樹脂層15は、半導体チップ10と低弾性率層20とが各々有する弾性率の間の弾性率を有し、かつ、半導体チップ10と低弾性率層20とが各々有する熱膨張係数の間の熱膨張係数を有する。

Claim (excerpt)：

主面上に電極を有する半導体チップと、前記半導体チップの上に設けられ前記電極を露出した低弾性率層と、前記低弾性率層と前記半導体チップとの間に介在する樹脂層と、少なくとも一部が前記低弾性率層の上に設けられ前記電極に接続される金属配線とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/60 , H01L 21/3205

FI (3)：

H01L 21/92 602 L , H01L 21/88 T , H01L 21/92 602 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-271323 Applicant：日本電気株式会社
フリップチップICとその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-023791 Applicant：ソニー株式会社
バンプ形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-276323 Applicant：ソニー株式会社

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