低リーク電流および低分極疲労を有する電子デバイスを製造するためのUV照射プロセス

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1996528506
Publication number (International publication number)：1999508086
Application date： Mar. 14, 1996
Publication date： Jul. 13, 1999
Summary：

【要約】金属酸化物薄膜の形成(P26)において、溶媒中の液状のポリオキシアルキル化金属錯体からなる前駆体溶液(P22)を基板に塗布する。180nmから300nmの範囲の波長を有するUV照射が適用されている間、液状薄膜を空気中で500°Cまでの温度で焼成する(P28)。薄膜を、温度を上昇して2度焼成することもでき、一方または両方の焼成においてUV照射を適用する。次いで、約700°Cから850°Cの範囲の温度で膜をアニール(P32)し、薄膜固体金属酸化物を形成する。あるいは、UV照射を液状前駆体に適用し得、薄膜をUV照射によりアニールし得、または、前駆体に対し、もしくは焼成前後の薄膜に対するUV照射、および/またはUVアニールのそのような適用の組合せを使用し得る。

Claim (excerpt)：

低リーク電流、薄膜金属酸化物電気コンポーネント(20)を作製する方法であって、該方法は、基板(11、12、13、14)、および液状前駆体から得られる固体金属酸化物積層超格子材料(15)と対応する金属内容物を含有する該液状前駆体を提供する工程(P24、P22); 該液状前駆体を該基板上に塗布し、液状薄膜を該基板上に形成する工程(P26);および乾燥した金属酸化物薄膜を形成するのに十分な条件の下で、該基板上の液状薄膜を乾燥する工程(P28)、を包含し; 該方法は、該液状薄膜の少なくとも1つ、および該乾燥した金属酸化物薄膜を、紫外線照射源に曝露して、続くアニールによって生じる結晶材料のc軸配向を増大させる工程(P28);および該乾燥した金属酸化物薄膜をアニールし、X線回析解析によって示されるc軸配向を有する該金属酸化物積層超格子材料を生成させる工程(P32)、ここで各格子点(006)および(0010)におけるピーク強度が、格子点(115)における強度の20%を越える、工程、によって特徴づけられる。

IPC (3)：

H01L 21/316 , C30B 29/30 , C30B 29/68

FI (3)：

H01L 21/316 P , C30B 29/30 C , C30B 29/68

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

強誘電体薄膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-023933 Applicant：松下電子工業株式会社
複合酸化物薄膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-125654 Applicant：ローム株式会社
強誘電体薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-042029 Applicant：オリンパス光学工業株式会社

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