気相成長装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：森下賢樹 , 速水進治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003085154
Publication number (International publication number)：2004296639
Application date： Mar. 26, 2003
Publication date： Oct. 21, 2004
Summary：

【課題】良好な膜質の半導体層を高い生産性で形成する成長装置を提供する。【解決手段】III族原料ガス供給管12を、基板ホルダ18、19の中心に設けられた孔に嵌挿する。ウエハ41は、カバー21と固定部材22、23とにより各基板ホルダに取り付ける。基板ホルダ18、19および20は、固定部材22、23により連結する。モータ26により、基板ホルダ18、19および20の全体を、III族原料ガス供給管12を中心軸として回転運動させ、各基板ホルダに保持された各ウエハ41を、III族原料ガス供給管12の周囲に公転運動させる。III族原料ガス供給管12の側面にIII族原料ガスの噴出口25を設け、成長ガスを上下左右四方向へ放射状に供給する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

成長室と、前記成長室内に設けられ、第一の反応ガスを供給するガス供給管と、前記第一の反応ガスと反応する第二の反応ガスを前記成長室内に供給するガス供給部と、前記ガス供給管の周囲に複数の基板を配置する基板保持部材と、前記基板保持部材および前記ガス供給管のうちの一方を他方に対して相対回転させることにより前記ガス供給管の周囲に前記複数の基板を公転させる回転駆動部と、を備え、前記ガス供給管は、その側壁に前記第一の反応ガスを供給するガス供給口を有し、前記ガス供給口から前記基板の表面に向けて前記第一の反応ガスが放射状に供給されるようにしたことを特徴とする気相成長装置。

IPC (2)：

H01L21/205 , C23C16/44

FI (2)：

H01L21/205 , C23C16/44 G

F-Term (27)：

4K030AA03 , 4K030AA11 , 4K030AA17 , 4K030AA20 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA25 , 4K030BA26 , 4K030BA38 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030EA03 , 4K030FA10 , 4K030GA03 , 4K030GA06 , 4K030LA15 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045DP14 , 5F045DQ04 , 5F045DQ06 , 5F045DQ08 , 5F045EB02 , 5F045EF03 , 5F045EM02 , 5F045EM10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

III-V族化合物半導体製造装置及びIII-V族化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-026180 Applicant：シャープ株式会社, 大和半導体株式会社
半導体の気相成長装置及び方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-224554 Applicant：株式会社日立製作所, 日立原町電子工業株式会社
特開昭49-119579

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