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J-GLOBAL ID：200903012147725837

III-V族化合物半導体製造装置及びIII-V族化合物半導体の製造方法

Inventor：
小河 淳

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湯浅 貴之

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津田 有三

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種谷 元隆

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大石 隆宏

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Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

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大和半導体株式会社

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Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001026180
Publication number (International publication number)：2002231643
Application date： Feb. 01, 2001
Publication date： Aug. 16, 2002
Summary：
【要約】【課題】 膜厚が均一なIII-V族化合物半導体の厚膜を結晶成長させるIII-V族化合物半導体半導体装置及びIII-V族化合物半導体半導体の製造方法を提供する。【解決手段】 III族原料供給管が、基板保持具に保持された基板の中心軸線に沿った中心線方向ベクトル(基板表面から裏面への方向を正)と、III族原料供給管のIII族原料が吹出される方向に沿ったIII族原料吹出し方向ベクトル(III族原料が吹き出される方向を正)とのなす角度が0°〜40°の範囲、基板保持具に保持された基板表面の中心部分と、III族原料供給管のIII族原料吹出し部分との距離が5mm〜200mmの範囲になるように配置されているので、基板に供給される原料の流れを制御することが容易になり、均一な膜厚を有する厚膜のIII-V族化合物半導体を製造することができる。
Claim (excerpt)：
III-V族化合物半導体を結晶成長させるための基板を保持する基板保持具と、III-V族化合物半導体のIII族原料を前記基板保持具に保持された基板に向かって吹き出すためのIII族原料供給管と、該III族原料供給管に沿って配置されたV族原料を吹き出すためのV族原料供給管とを有し、前記III族原料供給管は、前記基板保持具に保持された基板の中心軸線に沿った中心線方向ベクトル(基板表面から裏面への方向を正)と、III族原料供給管のIII族原料が吹出される方向に沿ったIII族原料吹出し方向ベクトル(III族原料が吹き出される方向を正)とのなす角度が0°〜40°の範囲になるように配置されているとともに、前記基板保持具に保持された基板表面の中心部分と、前記III族原料供給管のIII族原料吹出し部分との距離が5mm〜200mmの範囲になるように配置されていることを特徴とするIII-V族化合物半導体製造装置。
IPC (3)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/455 ,  H01S 5/323
FI (3)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/455 ,  H01S 5/323
F-Term (37)：
4K030AA20 ,  4K030BA55 ,  4K030BA56 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030EA06 ,  4K030JA03 ,  4K030JA04 ,  4K030KA47 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC19 ,  5F045AD12 ,  5F045AF09 ,  5F045BB02 ,  5F045CA10 ,  5F045DP09 ,  5F045DP28 ,  5F045EB02 ,  5F045EE14 ,  5F045EE15 ,  5F045EE20 ,  5F045EF02 ,  5F045EF08 ,  5F045EK22 ,  5F045EM10 ,  5F073AA04 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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