Pat
J-GLOBAL ID:200903006634036079
半導体装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (6):
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003363386
Publication number (International publication number):2005039171
Application date: Oct. 23, 2003
Publication date: Feb. 10, 2005
Summary:
【課題】 歪みSiチャネルにおけるキャリアの移動度をより高めることができ、且つ正孔移動度と電子移動度との差を小さくする。【解決手段】 歪みSiチャネルを用いてnチャネルのMOSFET12とpチャネルのMOSFET11が形成された半導体装置において、nチャネルMOSFET12における歪みSiチャネルの電子電流方向を<001>軸に沿った方向、pチャネルMOSFET11における歪みSiチャネルの正孔電流方向を<011>軸に沿った方向に設定した。【選択図】 図3
Claim (excerpt):
素子形成面の面方位が(110)面に規定された歪みSi層に形成され、歪みSiチャネルを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4):
H01L29/786
, H01L21/8238
, H01L27/08
, H01L27/092
FI (5):
H01L29/78 618B
, H01L27/08 331E
, H01L29/78 620
, H01L29/78 613A
, H01L27/08 321C
F-Term (34):
5F048AA00
, 5F048AA08
, 5F048AC04
, 5F048BA02
, 5F048BA14
, 5F048BA16
, 5F048BB06
, 5F048BB07
, 5F048BD01
, 5F048BD09
, 5F048BF02
, 5F048DA23
, 5F110AA01
, 5F110BB04
, 5F110CC02
, 5F110DD05
, 5F110DD13
, 5F110EE09
, 5F110EE31
, 5F110FF02
, 5F110FF23
, 5F110GG01
, 5F110GG02
, 5F110GG12
, 5F110GG17
, 5F110GG19
, 5F110GG22
, 5F110GG24
, 5F110GG42
, 5F110GG44
, 5F110GG58
, 5F110HJ13
, 5F110HJ22
, 5F110HL03
Patent cited by the Patent:
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