半導体量子井戸構造およびその製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山川政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998305370
Publication number (International publication number)：2000133795
Application date： Oct. 27, 1998
Publication date： May. 12, 2000
Summary：

【要約】【課題】基板面に対して横方向に形成することができるようにし、高温動作を可能にさせる。【解決手段】絶縁膜2と、この絶縁膜2に接しかつ圧縮歪みを有する間接遷移型半導体からなる第1の半導体領域(領域4b)と、絶縁膜2上に第1の半導体領域(領域4b)を挟むようにして接するとともに第1の半導体領域(領域4b)とは異なる圧縮歪みを有しかつ間接遷移型半導体からなる第2および第3の半導体領域(領域4c)とを備えている。そして、第1の半導体領域(領域4b)は、そのバンドギャップが第2および第3の半導体領域(領域4c)のバンドギャップよりも小さい。

Claim (excerpt)：

絶縁膜と、この絶縁膜に接しかつ圧縮歪みを有する間接遷移型半導体からなる第1の半導体領域と、前記絶縁膜上に前記第1の半導体領域を挟むようにして接するとともに前記第1の半導体領域とは異なる圧縮歪みを有しかつ前記間接遷移型半導体からなる第2および第3の半導体領域とを備え、前記第1の半導体領域は、そのバンドギャップが前記第2および第3の半導体領域のバンドギャップよりも小さいことを特徴とする半導体量子井戸構造。

IPC (4)：

H01L 29/06 , H01L 21/205 , H01L 29/66 , H01S 5/30

FI (4)：

H01L 29/06 , H01L 21/205 , H01L 29/66 , H01S 3/18 670

F-Term (11)：

5F045AB02 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045BB16 , 5F045DA56 , 5F045DA69 , 5F045DC65 , 5F073AA75 , 5F073CA04 , 5F073CB02 , 5F073DA21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

クーロンブロッケイド素子とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-275544 Applicant：日本電信電話株式会社

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