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J-GLOBAL ID：200903006761108941

プラズマCVDによる薄膜形成方法およびプラズマCVD装置

Inventor： 水野 茂 ,  田上 学 ,  長谷川 晋也 ,  沼沢 陽一郎 ,  石原 雅仁 ,  梨本 清 ,  高橋 信行
Applicant, Patent owner： アネルバ株式会社
Agent (1)： 田宮 寛祉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996168180
Publication number (International publication number)：1998001774
Application date： Jun. 08, 1996
Publication date： Jan. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】 プラズマCVD法によるTi膜等の形成でTiCl4 を使用するとき、Ti膜等に残留する塩素量を少なくして下地層の浸食をなくし、膜表面を平滑にし、段差被覆性を高め、歩留りを向上し、素子の信頼性の高くする。【解決手段】 プラズマCVD法を利用したTi膜またはTiN膜の成膜で、反応容器内にH2 またはH2 とN2 を導入して基板の前面空間にプラズマを生成し、次に反応容器内にTiCl4 とシラン系ガス(Sin H2n+2:nは自然数)とH2 またはH2 とN2 を含む反応ガスを導入する。プラズマ中で生成されるシラン系ガスのラディカルによってTiCl4 またはTiCl4 が分解して生成される前駆体が還元され、基板の上にSiを含有するTi膜またはTiN膜が形成される。

Claim (excerpt)：

基板を収容する容器内にH2 (水素)を導入して前記基板の前面空間にプラズマを生成し、前記容器内にTiCl4 (四塩化チタン)とシラン系ガス(Sin H2n+2:nは自然数)とH2 を含む反応ガスを導入し、前記プラズマ中で生成される前記シラン系ガスのラディカルによって前記TiCl4 または前記TiCl4 が分解して生成される前駆体を還元し、前記基板の上にSi(シリコン)を含有するTi(チタン)膜を形成したことを特徴とするプラズマCVDによる薄膜形成方法。

IPC (5)：

C23C 16/42 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301

FI (5)：

C23C 16/42 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• プラズマCVDによる成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-277897   Applicant：神港精機株式会社
• 半導体装置における金属薄膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-352990   Applicant：新日本製鐵株式会社