半導体装置における金属薄膜形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：國分孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993352990
Publication number (International publication number)：1995142411
Application date： Dec. 29, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：

【要約】【目的】絶縁膜上でも密着性良く金属タングステン薄膜を形成する。【構成】 SiO2 膜5の表面近傍にWF6 ガスとH2 ガスを導入して、これらのガスをプラズマ化し、プラズマ状態でこれらのガスを互いに反応させてWF6を還元し、SiO2 膜5の表面にもタングステンの成長核7′を形成する。しかる後、WF6 ガスとH2 ガスによる通常のCVD法によりタングステン薄膜7を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された絶縁膜の上に化学気相成長法により金属薄膜を形成する金属薄膜形成方法において、金属薄膜を形成すべき金属を含んだ原料ガスとこの原料ガスを分解する還元ガスとをプラズマ状態で互いに反応させ、上記絶縁膜の表面に上記金属の成長核を形成する工程と、上記原料ガスと上記還元ガスとを、上記成長核が形成された上記絶縁膜上に導入して、化学気相成長法により金属薄膜を形成する工程とを有することを特徴とする金属薄膜形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 , C23C 16/44

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平1-191778
特開平3-295258
特開平3-174727

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