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J-GLOBAL ID：200903006810704105

ダイヤモンドへの異種元素導入方法並びにダイヤモンド及びダイヤモンドを用いたトランジスタ素子、電子放出素子若しくは発光素子

Inventor：
山本 和弘

About 山本 和弘

, 
吉田 博昭

About 吉田 博昭


Applicant, Patent owner：
独立行政法人産業技術総合研究所

About 独立行政法人産業技術総合研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003279127
Publication number (International publication number)：2005045114
Application date： Jul. 24, 2003
Publication date： Feb. 17, 2005
Summary：
【課題】ダイヤモンドに損傷を与える事なく異種元素の濃度を制御し導入する技術を獲得し、特に半導体電子伝導特性の制御が可能となり、ダイヤモンドを電子伝導体として用いることができる電子素子を実現することを課題とする。【解決手段】イオンを生成させ、イオンをイオン源から引き出し、イオンを質量分離し、イオンを収束させ、イオンを偏向させ、イオン減速し、そしてイオンをダイヤモンド物質に照射し異種元素を導入する方法において、イオンを照射する真空容器の真空度が1×10-6Pa以下であり、かつダイヤモンドに対して、その構成元素以外のイオンを100eV以下のエネルギーで照射することを特徴とするダイヤモンドへの異種元素導入方法。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
イオンを生成させ、イオンをイオン源から引き出し、イオンを質量分離し、イオンを収束させ、イオンを偏向させ、イオン減速し、そしてイオンをダイヤモンド物質に照射し異種元素を導入する方法において、イオンを照射する真空容器の真空度が1×10-6Pa以下であり、かつダイヤモンドに対して、その構成元素以外のイオンを100eV以下のエネルギーで照射することを特徴とするダイヤモンドへの異種元素導入方法。
IPC (5)：
H01L21/265 ,  C30B29/04 ,  H01J1/304 ,  H01L29/66 ,  H01L33/00
FI (5)：
H01L21/265 Z ,  C30B29/04 V ,  H01L29/66 E ,  H01L33/00 A ,  H01J1/30 F
F-Term (9)：
4G077AA02 ,  4G077BA03 ,  4G077FD03 ,  4G077HA06 ,  5C135AA09 ,  5C135AA12 ,  5C135AB06 ,  5F041CA33 ,  5F041CA71
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

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