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J-GLOBAL ID：200903006871156763

固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法および撮像装置

Inventor：
滝澤 律夫

About 滝澤 律夫


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004332780
Publication number (International publication number)：2006147680
Application date： Nov. 17, 2004
Publication date： Jun. 08, 2006
Summary：
【課題】入射光によってシリコン基板の表面で発生した電子が、基板表面に沿って横方向に拡散し、読み出しゲート部またはチャネルストップ部を通過して転送チャネル領域へ漏れ込むことによって発生する成分がスミア成分として支配的となる。【解決手段】pn接合によるフォトダイオードの基板表面側に正電荷蓄積領域22を形成してなる埋込み型フォトダイオード構造のCCD固体撮像素子において、センサ表面の正電荷蓄積領域22内にゲッタリングサイトであるゲッター領域23を形成し、入射光によってエピタキシャル基板10の表面で発生した電子を当該ゲッター領域23によって捕獲することで、転送チャネル領域31に漏れ込むスミア成分を抑制する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
半導体基板の表層部に形成された光電変換素子と、当該光電変換素子の基板表面側に形成された不純物領域とを含む受光部が配置されてなる固体撮像素子であって、 前記不純物領域内にゲッター領域を有する ことを特徴とする固体撮像素子。
IPC (3)：
H01L 27/148 ,  H01L 21/322 ,  H04N 5/335
FI (3)：
H01L27/14 B ,  H01L21/322 J ,  H04N5/335 F
F-Term (13)：
4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118CA01 ,  4M118CA04 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA33 ,  5C024AX01 ,  5C024CX13 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GY01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)
  • Si半導体素子の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-239260   Applicant：ゴールドスターエレグトロンカンパニーリミテッド

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