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J-GLOBAL ID：200903085858158207

固体撮像装置及びその製造方法

Inventor：
立川 景士

About 立川 景士


Applicant, Patent owner：
松下電子工業株式会社

About 松下電子工業株式会社


Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998247502
Publication number (International publication number)：2000077647
Application date： Sep. 01, 1998
Publication date： Mar. 14, 2000
Summary：
【要約】【課題】CCD固体撮像装置において、CCD固体撮像素子の読み出し駆動電圧の低電圧化、スミア低減及び感度の向上を図る。【解決手段】n型半導体基板1の表面に選択的にn型拡散層(CCD転送チャンネル)4を形成する。このn型拡散層4の側方に、信号読み出し電圧を制御するp型拡散層の制御部33と、層分離用のp型拡散層の分離部32を形成する。これ等の制御部33及び分離部32は、前記n型拡散層4よりも浅く、且つ基板1のp型ウェル2よりも高濃度の不純物濃度に形成される。更に、基板1の表面に選択的に高濃度のp型拡散層31、34が形成される。これ等の高濃度p型拡散層31、34は、各々、前記n型拡散層4と制御部33、前記n型拡散層4と分離部32との間を結ぶと共に、前記制御部33及び分離部32並びにp型拡散層の暗電流防止層35よりも高濃度の不純物濃度に形成される。
Claim (excerpt)：
CCD固体撮像素子の画素部において、内部にp型ウェルを有する半導体基板の表面に選択的に形成されたn型拡散層と、前記半導体基板の表面で前記n型拡散層の側方に形成され、前記n型拡散層からの信号の読み出し駆動電圧を制御するp型拡散層を有する制御部とを備え、前記制御部は、前記n型拡散層よりも浅く、且つ前記p型ウェルよりも不純物濃度が高く形成されることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2)：
H01L 27/148 ,  H04N 5/335
FI (2)：
H01L 27/14 B ,  H04N 5/335 U
F-Term (21)：
4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118DA03 ,  4M118EA07 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA35 ,  4M118GB03 ,  4M118GB07 ,  4M118GB11 ,  5C024AA01 ,  5C024CA04 ,  5C024CA10 ,  5C024CA31 ,  5C024FA01 ,  5C024GA01 ,  5C024GA11 ,  5C024JA21
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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