微細溝をシリカ質材料で埋封する方法及びシリカ質膜付き基材

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石田敬 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000128988
Publication number (International publication number)：2001308090
Application date： Apr. 25, 2000
Publication date： Nov. 02, 2001
Summary：

【要約】【課題】微細溝をシリカ質材料によって均質に埋封することができる方法を提供する。【解決手段】ポリスチレン換算重量平均分子量が3000〜20000の範囲にあるペルヒドロポリシラザンの溶液を、最深部の幅が0.2μm以下であってその幅に対する深さの比が2以上である溝を少なくとも一つ有する基材に塗布して乾燥することにより前記溝を前記ペルヒドロポリシラザンで埋封し、その後前記ペルヒドロポリシラザンを水蒸気を含む雰囲気において加熱することによりシリカ質材料に転化することを特徴とする、微細溝をシリカ質材料で埋封する方法。

Claim (excerpt)：

ポリスチレン換算重量平均分子量が3000〜20000の範囲にあるペルヒドロポリシラザンの溶液を、最深部の幅が0.2μm以下であってその幅に対する深さの比が2以上である溝を少なくとも一つ有する基材に塗布して乾燥することにより前記溝を前記ペルヒドロポリシラザンで埋封し、その後前記ペルヒドロポリシラザンを水蒸気を含む雰囲気において加熱することによりシリカ質材料に転化することを特徴とする、微細溝をシリカ質材料で埋封する方法。

IPC (4)：

H01L 21/316 , C01B 33/12 , H01L 21/76 , H01L 21/768

FI (4)：

H01L 21/316 G , C01B 33/12 C , H01L 21/76 L , H01L 21/90 Q

F-Term (34)：

4G072AA25 , 4G072AA41 , 4G072BB09 , 4G072GG03 , 4G072HH28 , 4G072JJ11 , 4G072MM31 , 4G072QQ09 , 4G072RR05 , 4G072UU01 , 5F032AA35 , 5F032AA36 , 5F032AA44 , 5F032AA54 , 5F032AA69 , 5F032AA78 , 5F032DA09 , 5F032DA10 , 5F032DA24 , 5F032DA74 , 5F033RR04 , 5F033SS22 , 5F033WW00 , 5F033WW01 , 5F033XX02 , 5F033XX03 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BF46 , 5F058BH02 , 5F058BH03 , 5F058BH20 , 5F058BJ06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

トレンチ・アイソレーション構造の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-116427 Applicant：日本電気株式会社
スパッタリング用窒化珪素系ターゲット材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-349559 Applicant：東燃株式会社

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