真空処理方法及び装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993225468
Publication number (International publication number)：1995086241
Application date： Sep. 10, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明は、スパッタやCVD装置あるいはエッチング装置などの真空処理装置を水分を含む外気に真空処理室をさらすことなく内部の清掃を効率良く行い、装置の稼動率を大巾に高めることを目的とする。【構成】真空処理室1と下部真空室6に清掃用ガス導入口12,24と、ガス排出ダクト17と可動式電気集じん機14を設ける。真空処理を終了した後、大気圧レベルの乾燥ガスを導入して反応室や真空室内の異物を舞い上がらせ、ガス気流に乗せて排出ダクトから装置外へ除去するか、あるいは適切に配置された電気集じん機に捕獲させる。さらに、上記の乾燥ガスによる清掃の間に、反応室を再度真空にもどし、反応室内に清掃用のプラズマを立てて壁面の反応生成物をプラズマで脱離させ、塵埃となった生成物を再び、乾燥ガスの導入、排出により除去する。

Claim (excerpt)：

真空処理加工後、清掃時期に応じて反応室内に乾燥したガスを導入し、排気口側から乾燥ガスを連続排気することにより清掃を行うことを特徴とする真空処理方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01L 21/265

FI (2)：

H01L 21/302 N , H01L 21/265 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

クリーニング方法及び半導体製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-173529 Applicant：富士通株式会社
特開平3-196615
低温処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-251490 Applicant：ソニー株式会社

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