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J-GLOBAL ID：200903007084995460

高精度位置決め手段、光スイッチング素子、外部共振器半導体レーザ製造手段、及び、波長可変半導体レーザ製造手段

Inventor：
武田 高司

About 武田 高司


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 上柳 雅誉 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001050520
Publication number (International publication number)：2002254400
Application date： Feb. 26, 2001
Publication date： Sep. 10, 2002
Summary：
【要約】【課題】非常に高精度な位置決めができるのにも関わらず、光路を遮断することの無い高精度位置決め手段、光スイッチング素子、半導体レーザの端面及び反射ミラーにダメージを与えず、高精度の間隔を確保できる外部共振器半導体レーザ、及び、波長可変半導体レーザを提供する。【解決手段】シリコン膜に位置決めパターンを設け、部品の位置決め、接着後、シリコン膜を弗化キセノンガスによりエッチング除去する。【効果】シリコン膜成膜及び、弗化キセノンガスエッチングは、低温の工程であるため、樹脂等の部品にも使用でき、しかも、エッチング時に他の部品にダメージを与える事がない。
Claim (excerpt)：
基板上にシリコン膜を成膜後、位置決め用パターンをフォトリソ工程で作成すること、光学部品等の位置決め後固定すること、光学部品等の固定後、弗化キセノンガスにより位置決めパターンを除去すること、を特徴とする高精度位置決め手段。
IPC (5)：
B81C 3/00 ,  G02B 6/26 ,  G02B 26/08 ,  H01S 5/022 ,  H01S 5/14
FI (5)：
B81C 3/00 ,  G02B 6/26 ,  G02B 26/08 E ,  H01S 5/022 ,  H01S 5/14
F-Term (19)：
2H037BA32 ,  2H037DA02 ,  2H037DA11 ,  2H037DA17 ,  2H041AA14 ,  2H041AB14 ,  2H041AC06 ,  2H041AZ01 ,  2H041AZ05 ,  2H041AZ08 ,  5F073AA67 ,  5F073AB27 ,  5F073AB28 ,  5F073AB29 ,  5F073BA01 ,  5F073DA21 ,  5F073EA03 ,  5F073FA23 ,  5F073FA27
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
  • 微小部品組立方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-299955   Applicant：松下技研株式会社
  • マイクロマシンの製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-151865   Applicant：ボールセミコンダクター株式会社

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