半導体素子およびその製造方法ならびに半導体発光素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤島洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997293036
Publication number (International publication number)：1999126948
Application date： Oct. 24, 1997
Publication date： May. 11, 1999
Summary：

【要約】【課題】貫通転位の密度を全面において低減すると共に、膜厚を薄くすることができる半導体素子およびその製造方法ならびに半導体発光素子を提供する。【解決手段】サファイアよりなる基板1の上にバッファ層2を介して下地層3を形成したのち、複数の開口部4cが設けられたSiO2 よりなる第1のマスク層4aを介してGaNよりなる第1の選択成長層5aを選択的に成長させ、その上に同様に第2のマスク層4bを介して第2の選択成長層5bを成長させる。この時、第1のマスク層4aの開口部4cの上方には第2のマスク層4bのマスク部4dを形成する。その後、III族ナイトライド化合物半導体よりなる半導体層を積層する。下地層3における貫通転位は第1のマスク層4aおよび第1のマスク層4bにより遮断され半導体層には伝わらない。

Claim (excerpt)：

開口部が形成されたマスク層と、このマスク層を介して選択的に成長された半導体よりなる選択成長層とを、それぞれ2層以上交互に備えたことを特徴とする半導体素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

特開平3-133182
特開平4-127521
特開平4-303920

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Cited by examiner (6)

特開平3-133182
特開平4-127521
特開平4-303920

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