窒化物半導体素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998127997
Publication number (International publication number)：1999191658
Application date： May. 12, 1998
Publication date： Jul. 13, 1999
Summary：

【要約】【目的】厚膜のAlを含む窒化物半導体、またはAl混晶比の高い窒化物半導体を成長可能として、その窒化物半導体をクラッド層、コンタクト層として有する窒化物半導体素子を提供する。【構成】結晶欠陥が1×107個/cm2以下の窒化物半導体よりなる下地層上に、Inを含む井戸層を有する量子井戸構造の活性層を有し、その活性層と下地層との間に、アルミニウムを含む窒化物半導体を含む第1の窒化物半導体層が成長されている。これは、下地層の歪みが小さいのでその上に格子不整合状態で成長させるAlGaN層の歪みも小さくなるために、AlGaNが厚膜で成長できてクラッド層、コンタクト層となる。

Claim (excerpt)：

結晶欠陥が1×107個/cm2以下の窒化物半導体を含む下地層上に、Inを含む井戸層を有する量子井戸構造の活性層を有し、その活性層と下地層との間に、アルミニウムを含む窒化物半導体を含む第1の窒化物半導体層が成長されていることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-007048 Applicant：松下電器産業株式会社
発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-213516 Applicant：富士通株式会社
半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-016586 Applicant：株式会社日立製作所

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