Pat
J-GLOBAL ID：200903007114606952

半導体発光素子の製法

Inventor：
園部 雅之

About 園部 雅之


Applicant, Patent owner：
ローム株式会社

About ローム株式会社


Agent (1)： 河村 洌 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995057828
Publication number (International publication number)：1996255931
Application date： Mar. 16, 1995
Publication date： Oct. 01, 1996
Summary：
【要約】【目的】 エッチングされた側面が基板面に対して垂直になるようにし、半導体レーザや側面から発光するLEDなどの発光特性を向上することができるチッ化ガリウム系化合物半導体を用いた半導体発光素子の製法を提供する。【構成】 基板上に少なくともn型層3、4およびp型層6、7を含み発光(活性)層5を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層を積層し、該積層された半導体層の少なくとも一部をエッチングする半導体発光素子の製法であって、(a) 前記半導体層を積層したのち該半導体層の表面にホトレジスト膜10を設け、(b)該ホトレジスト膜をベーキング処理にて固化し、(c) 該ベーキング処理されたホトレジスト膜に前記半導体層の表面に対して実質的に垂直になるように開口部13を設け、(d) 該開口部が設けられたホトレジスト膜をマスクとして前記半導体層を反応性イオンエッチングによりエッチングする。
Claim (excerpt)：
基板上に少なくともn型層およびp型層を含み発光層を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層を積層し、該積層された半導体層の少なくとも一部をエッチングし、該エッチングされた前記半導体層の側面から光をとり出す半導体発光素子の製法であって、(a) 前記半導体層を積層したのち該半導体層の表面にホトレジスト膜を設け、(b) 該ホトレジスト膜をベーキング処理にて固化し、(c) 該ベーキング処理されたホトレジスト膜に前記半導体層の表面に対して実質的に垂直になるように開口部を設け、(d) 該開口部が設けられたホトレジスト膜をマスクとして前記半導体層を反応性イオンエッチングによりエッチングすることを特徴とする半導体発光素子の製法。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
  • 半導体発光素子およびその製法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-202480   Applicant：ローム株式会社
  • 特開平5-373742
  • 特開平4-042984
Show all
Cited by examiner (7)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM