不揮発性半導体メモリ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (8)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006135594
Publication number (International publication number)：2006277926
Application date： May. 15, 2006
Publication date： Oct. 12, 2006
Summary：

【課題】バイト単位の書き換えが可能な不揮発性半導体メモリを提供する。【解決手段】メモリセルアレイは、1個のメモリセルとこれを挟み込む2個のセレクトトランジスタとから構成されるユニットを有する。1ブロックには、1本のコントロールゲート線が配置され、1本のコントロールゲート線に接続されるメモリセルにより1ページが構成される。ビット線には、ラッチ機能を持つセンスアンプが接続される。データ書き換えは、まず、1ページ分のメモリセルのデータをセンスアンプに読み出し、センスアンプでデータの上書きを行い、ページ消去を行った後、センスアンプのデータを1ページ分のメモリセルに書き込む。センスアンプにおけるデータの上書きによりバイト単位のデータ書き換えが可能となる。【選択図】図10

Claim (excerpt)：

第1コントロールゲート線と、前記第1コントロールゲート線に共通に接続される1ページ分の第1メモリセルユニットと、前記1ページ分の前記第1メモリセルユニットにビット線を介して接続される1ページ分のセンスアンプと、前記第1メモリセルユニットのデータを前記センスアンプに読み出し、前記センスアンプにおいて前記1ページ分のデータのうち書き換えの対象となる1ページ未満のデータに対してデータの上書きを行い、前記1ページ分の前記第1メモリセルユニットのデータを消去してから前記上書き後の前記センスアンプのデータを前記1ページ分の前記第1メモリセルユニットに書き込む手段とを具備することを特徴とする不揮発性半導体メモリ。

IPC (7)：

G11C 16/02 , G11C 16/04 , G11C 16/06 , H01L 21/824 , H01L 29/792 , H01L 29/788 , H01L 27/115

FI (6)：

G11C17/00 612F , G11C17/00 611G , G11C17/00 622E , G11C17/00 634G , H01L29/78 371 , H01L27/10 434

F-Term (53)：

5B125BA02 , 5B125BA05 , 5B125BA09 , 5B125CA06 , 5B125CA08 , 5B125DB08 , 5B125DC03 , 5B125DC08 , 5B125DE11 , 5B125DE20 , 5B125EA02 , 5B125EA03 , 5B125EA05 , 5B125EB01 , 5B125EB02 , 5B125EB04 , 5B125EB05 , 5B125EB07 , 5B125ED09 , 5B125EE04 , 5B125EE05 , 5B125EF09 , 5B125EG02 , 5B125EG14 , 5B125EG16 , 5B125FA01 , 5B125FA02 , 5B125FA05 , 5B125FA06 , 5B125FA07 , 5F083EP02 , 5F083EP22 , 5F083EP33 , 5F083EP34 , 5F083EP76 , 5F083EP78 , 5F083EP79 , 5F083ER03 , 5F083ER23 , 5F083GA09 , 5F083JA35 , 5F083JA53 , 5F083LA03 , 5F083LA04 , 5F083LA05 , 5F101BA01 , 5F101BB02 , 5F101BC02 , 5F101BD22 , 5F101BD34 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

不揮発性メモリシステムおよび不揮発性半導体メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-126793 Applicant：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
不揮発性半導体メモリ装置およびその読み出し/書き込み方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-256662 Applicant：ソニー株式会社
ホットエレクトロン注入プログラミング及びトンネル動作消去を有するPMOSメモリセル
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-302924 Applicant：プログラマブルマイクロエレクトロニクスコーポレイション

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