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J-GLOBAL ID:200903007230510652

半導体ウエハの処理方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 木村 高久
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997157048
Publication number (International publication number):1999008213
Application date: Jun. 13, 1997
Publication date: Jan. 12, 1999
Summary:
【要約】【課題】多量の薬液及び洗浄水を伴うことなく、微細パターンについてまで効率良く洗浄することが可能な洗浄度の高い半導体ウエハの処理方法を提供すること。【解決手段】不活性ガスを封入した中チャンバ2の内部で、半導体ウエハ3をウエハ支持体4で支持し、流体供給ノズル6の進行方向側の洗浄液供給口から洗浄液を供給し、進行方向の逆側の薬液供給口から薬液を供給して、支持された半導体ウエハ3の洗浄表面5を洗浄する。
Claim (excerpt):
不活性ガスを封入した環境下で、所定の薬液流体と所定の洗浄液とを用いて半導体ウエハを処理する半導体ウエハの処理方法において、少なくとも第1の供給口及び第2の供給口を有する供給ノズルを第1の供給口から第2の供給口に向けて前記半導体ウエハの表面に沿って移動する際に、前記第1の供給口から薬液流体を供給し、前記第2の供給口から洗浄液を供給して、前記半導体ウエハの表面を処理することを特徴とする半導体ウエハの処理方法。
IPC (2):
H01L 21/304 341 ,  B08B 3/04
FI (2):
H01L 21/304 341 N ,  B08B 3/04 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 半導体ウェハの処理装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-188923   Applicant:新日本製鐵株式会社
  • 回転薬液洗浄方法及び洗浄装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-150897   Applicant:大見忠弘, 日曹エンジニアリング株式会社, 株式会社エムテーシー
  • 特開平3-259523
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