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J-GLOBAL ID：200903007306686925

有機トランジスタ、およびこれが用いられた有機半導体素子

Inventor：
加納 正隆

About 加納 正隆

, 
池田 征明

About 池田 征明


Applicant, Patent owner：
日本化薬株式会社

About 日本化薬株式会社

, 
大日本印刷株式会社

About 大日本印刷株式会社


Agent (2)： 山下 昭彦 ,  岸本 達人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008155626
Publication number (International publication number)：2009302328
Application date： Jun. 13, 2008
Publication date： Dec. 24, 2009
Summary：
【課題】トランジスタ特性と耐久性が共に顕著に優れるのみならず、トランジスタ特性の信頼性にも優れる有機トランジスタを提供。【解決手段】有機半導体材料からなる有機半導体層1と、上記有機半導体層1に接するように形成され、金属酸化物からなる金属酸化物層2と、上記金属酸化物層2に通電するように形成され、導電性材料からなるソース電極3およびドレイン電極4とを有する有機トランジスタ10であって、上記有機半導体材料がベンゾチオフェン骨格やベンゾセレノフェン骨格を有するいわゆるワイドギャップ材料である。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
有機半導体材料からなる有機半導体層と、前記有機半導体層に接するように形成され、金属酸化物からなる金属酸化物層と、前記金属酸化物層に通電するように形成され、導電性材料からなるソース電極およびドレイン電極と、を有する有機トランジスタであって、 前記有機半導体材料が分子構造に以下の式(I)〜(III)のいずれかで表される構造を有するものであり、かつ、前記金属酸化物の仕事関数が、前記有機半導体材料のイオン化ポテンシャルよりも小さく、かつ前記導電性材料の仕事関数よりも大きいことを特徴とする、有機トランジスタ。
IPC (5)：
H01L 51/30 ,  H01L 51/05 ,  H01L 29/786 ,  C07D 495/04 ,  C07D 517/04
FI (6)：
H01L29/28 250H ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  C07D495/04 101 ,  C07D517/04
F-Term (34)：
4C071AA01 ,  4C071AA07 ,  4C071AA08 ,  4C071BB01 ,  4C071BB05 ,  4C071BB06 ,  4C071BB08 ,  4C071CC22 ,  4C071DD04 ,  4C071EE13 ,  4C071FF23 ,  4C071GG01 ,  4C071JJ01 ,  4C071LL10 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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