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J-GLOBAL ID：200903014695332617

有機電界効果トランジスタおよびその製造方法

Inventor：
八浪 竜一

About 八浪 竜一

, 
坂上 恵

About 坂上 恵


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (2)： 高松 猛 ,  市川 利光
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004142353
Publication number (International publication number)：2005327797
Application date： May. 12, 2004
Publication date： Nov. 24, 2005
Summary：
【課題】有機電界効果トランジスタの特性の安定化をはかるとともに長寿命化をはかる。【解決手段】 本発明の有機電界効果トランジスタは、有機半導体材料からなる有機半導体膜2にゲート絶縁膜3を介して設けられたゲート電極8と、前記ゲート電極8をはさんで前記有機半導体膜に当接するように設けられたソース電極6およびドレイン電極7とを備えた有機電界効果トランジスタにおいて、前記ソース電極6および前記ドレイン電極7の少なくとも1方が、無機物からなる電荷注入層4、5を介して前記有機半導体膜2と当接していることを特徴とする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
有機半導体材料からなる有機半導体膜にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、前記有機半導体膜に当接するように設けられたソース電極およびドレイン電極とを備えた有機電界効果トランジスタにおいて、 前記ソース電極および前記ドレイン電極の少なくとも1方が、無機物からなる電荷注入層を介してホールをキャリアとする前記有機半導体膜と当接していることを特徴とする有機電界効果トランジスタ。
IPC (3)：
H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00
FI (6)：
H01L29/78 616U ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 617S ,  H01L29/28
F-Term (49)：
5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF22 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG51 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK11 ,  5F110HK14 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27 ,  5F110NN36 ,  5F110QQ06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (4)
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