有機半導体素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤村元彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002265170
Publication number (International publication number)：2004103905
Application date： Sep. 11, 2002
Publication date： Apr. 02, 2004
Summary：

【課題】駆動電圧の上昇を抑え得る有機半導体素子を提供する。【解決手段】対向する1対の電極の間に成膜されたキャリア移動性の有機半導体層を備えた有機半導体素子は、1対の電極の少なくとも一方と有機半導体層との間に接触して挿入されかつ接触する電極の仕事関数の値と有機半導体層のイオン化ポテンシャルの値との間の仕事関数又はイオン化ポテンシャルの値を有するバッファ層を含む。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

対向する1対の電極の間に成膜されたキャリア移動性の有機半導体層を備えた有機半導体素子であって、前記1対の電極の少なくとも一方と前記有機半導体層との間に接触して挿入されかつ前記接触する電極の仕事関数の値と前記有機半導体層のイオン化ポテンシャルの値との間の仕事関数又はイオン化ポテンシャルの値を有するバッファ層を備えることを特徴とする有機半導体素子。

IPC (3)：

H01L29/786 , H01L29/80 , H01L51/00

FI (4)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 616U , H01L29/80 V , H01L29/28

F-Term (32)：

5F102FA00 , 5F102FB01 , 5F102GB02 , 5F102GB04 , 5F102GC08 , 5F102GK01 , 5F102GL01 , 5F110AA09 , 5F110BB01 , 5F110BB13 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110CC09 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110GG05 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

有機発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-284361 Applicant：松下電器産業株式会社
有機エレクトロルミネッセンス素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-002027 Applicant：三菱電機株式会社
液晶性導電素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-238688 Applicant：キヤノン株式会社

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