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J-GLOBAL ID：200903007343708211
半導体発光装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993051102
Publication number (International publication number)：1994268331
Application date： Mar. 11, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】動作電圧や動作電流の低減化が図れる II-VI族化合物半導体を用いた半導体発光装置を提供すること。【構成】p型InP基板1と、このp型InP基板1上に形成され、Cd1-u-vZnu Mgv Se(0≦u, v≦1)からなるp型クラッド層2と、このp型クラッド層2上に形成され、Cd1-w-x Znw Mgx Se(0≦w, x≦1)からなる活性層3と、この活性層3上に形成され、Cd1-y-z Zny Mgz Se(0≦y, z≦1)からなるn型クラッド層4とを備えている。
Claim (excerpt)：
InPからなる半導体基板と、この半導体基板上に形成され、Cd1-x-y Znx Mgy Se(0≦x≦1, 0≦y≦1)からなり、電流注入により発光する発光半導体層とを具備してなることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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