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J-GLOBAL ID:200903007360712150

半導体素子の製造方法、製造装置および熱電変換モジュールの製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 横沢 志郎 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997095545
Publication number (International publication number):1998290030
Application date: Apr. 14, 1997
Publication date: Oct. 27, 1998
Summary:
【要約】【課題】 ビスマル・テルル系の熱電変換素子において、棒状の素子の長手方向に結晶のa軸が揃った単結晶状態の熱電変換素子を容易に製造できる製造方法および製造装置を提供する。【解決手段】 棒状の熱電変換素子を製造する充填部11を備えた製造型12を容器13に入れ、その周囲に複数の分割されたヒータ18および19を設置し、製造される熱電変換素子の長手方向と直交する方向に温度勾配を設けた状態で熱電変換素子を固化する。これにより、熱電変換素子の長手方向に結晶のa軸が揃った単結晶の棒状の熱電変換素子を簡単に製造することが可能であり、この熱電変換素子をモジュール化することにより熱電変換特性の優れた熱電変換モジュールを提供することができる。
Claim (excerpt):
少なくとも1つの棒状の充填部を備えた製造型に溶融した半導体の原料を充填する充填工程と、前記充填部の長手方向と直交する方向に温度勾配を設けた状態で固化する固化工程とを有することを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (3):
H01L 35/34 ,  H01L 35/16 ,  H01L 35/32
FI (3):
H01L 35/34 ,  H01L 35/16 ,  H01L 35/32 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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