プラズマ・エッチング工程の精度を改善する方法および装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大塚康徳 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000572914
Publication number (International publication number)：2002526918
Application date： Sep. 24, 1999
Publication date： Aug. 20, 2002
Summary：

【要約】本発明は、トレンチおよびくぼみエッチング工程のようなプラズマ・エッチング工程の精度を改善する工程および装置を提供する。そのような工程において、トレンチまたは凹部が、エッチングされる開口の所望深さに停止層を有しない材料の層にエッチングされる。或いは、そのようなエッチング工程は計算された設定時間の間実行されて、測定または推測されたエッチング速度にもとづいて所望エッチング深さを達成する。例えば、目標深さを達成するエッチング時間が、統計的解析またはインターフェロメトリーによる各深さのリアルタイム測定にもとづくことがある。しかし、推測エッチング速度の使用または所望エッチング深さを達成するためにエッチングを終止させる必要がある時を制御するインターフェロメトリーが、開口のエッチングが深過ぎるまたは浅過ぎることに起因する欠陥構造をもたらす。本発明によれば、マスキング層厚測定をエッチング工程の一部として行うことによってより再現可能なやり方でより正確なエッチング深さを達成する方法で、エッチング工程を制御する技術が提供される。

Claim (excerpt)：

プラズマ・チャンバ内で半導体基板に開口をエッチングする方法であって、マスキング層と、エッチングされる材料を含む該マスキング層内の開口とを含む半導体基板をプラズマ・チャンバ内の基板支持台上に支持するステップと、プラズマ・チャンバ内でエッチング・プラズマを発生することによって、マスキング層の開口中の材料をエッチングするステップと、マスキング層内の開口中の材料のエッチングに先立ってマスキング層の厚さを測定するステップと、マスキング層の下側に対する目標エッチング深さを達成するように前記エッチング・ステップの期間を制御するステップと、開口の目標エッチング深さが得られたときにエッチング・プラズマを消すステップと、基板を前記チャンバから取り除くステップとを含む方法。

IPC (6)：

H01L 21/3065 , B01J 19/08 , G01B 11/02 , G01B 11/22 , H05H 1/46 , B81C 1/00

FI (6)：

B01J 19/08 H , G01B 11/02 G , G01B 11/22 G , H05H 1/46 A , B81C 1/00 , H01L 21/302 E

F-Term (33)：

2F065AA25 , 2F065AA30 , 2F065BB01 , 2F065BB02 , 2F065CC19 , 2F065CC32 , 2F065FF51 , 4G075AA30 , 4G075AA61 , 4G075AA65 , 4G075BC06 , 4G075CA47 , 4G075EC30 , 4G075FB02 , 4G075FC04 , 5F004AA16 , 5F004CB02 , 5F004CB03 , 5F004CB04 , 5F004CB05 , 5F004CB09 , 5F004CB10 , 5F004CB11 , 5F004CB15 , 5F004DB02 , 5F004DB03 , 5F004DB07 , 5F004DB08 , 5F004DB09 , 5F004DB10 , 5F004DB12 , 5F004EB01 , 5F004EB04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開昭63-148675
特開平4-370929
特開昭62-023113

Show all

Return to Previous Page