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J-GLOBAL ID：200903007422863273

半導体装置の製造方法

Inventor： 羽田 真由美 ,  長谷見 隆司 ,  池田 英俊 ,  青山 哲男
Applicant, Patent owner： 三菱瓦斯化学株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996018965
Publication number (International publication number)：1997213704
Application date： Feb. 05, 1996
Publication date： Aug. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】ドライエッチング後に形成される保護堆積膜を容易に除去でき、金属配線材料の導電膜を全く腐食せず、安全で且つ簡便に剥離、洗浄することにより、高精度の回路配線を製造する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体ウエハー上に、形成した金属導電膜上のフォトレジストを塗布し、フォトリソプロセスによるマスク形成後、非マスク領域をドライエッチングし、配線構造を形成する際、導電膜およびフォトレジストの側壁部に発生する保護堆積膜を、フッ系素化合物を含有する剥離液で剥離後、過酸化物を含有する水で洗浄する。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハー上に、形成した金属導電膜上のフォトレジストを塗布し、フォトリソプロセスによるマスク形成後、非マスク領域をドライエッチングし、配線構造を形成する際、導電膜およびフォトレジストの側壁部に発生する保護堆積膜を、フッ系素化合物を含有する剥離液で剥離後、過酸化物を含有する水で洗浄することを特徴とする半導体装置製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/3213 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 341

FI (4)：

H01L 21/88 D ,  H01L 21/304 341 L ,  H01L 21/30 572 B ,  H01L 21/302 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置洗浄剤および半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-000520   Applicant：三菱瓦斯化学株式会社, 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
• 埋込プラグの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-113423   Applicant：川崎製鉄株式会社