半導体装置およびその製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：吉武賢次 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005363813
Publication number (International publication number)：2007165796
Application date： Dec. 16, 2005
Publication date： Jun. 28, 2007
Summary：

【課題】ニッケルシリサイド膜とシリコンとの界面における界面抵抗を低減することを可能にする。【解決手段】シリコン基板に不純物が導入された不純物領域を形成する工程と、不純物領域を覆うようにNi層を形成する工程と、アニールすることにより、不純物領域の表面をNiSi2層に変化させる工程と、NiSi2層上にNi層を形成する工程と、アニールすることにより、NiSi2層をシリサイド化する工程と、を備えている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

シリコン基板に不純物が導入された不純物領域を形成する工程と、前記不純物領域を覆うようにNi層を形成する工程と、アニールすることにより、前記不純物領域の表面をNiSi2層に変化させる工程と、前記NiSi2層上にNi層を形成する工程と、アニールすることにより、前記NiSi2層をシリサイド化する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (8)：

H01L 21/28 , H01L 29/872 , H01L 29/47 , H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 29/786

FI (10)：

H01L21/28 301S , H01L29/48 M , H01L29/48 P , H01L29/78 301P , H01L29/78 301S , H01L29/78 301X , H01L27/08 321F , H01L29/78 618C , H01L29/78 616K , H01L29/78 617L

F-Term (76)：

4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104BB21 , 4M104CC03 , 4M104CC05 , 4M104DD04 , 4M104DD37 , 4M104DD79 , 4M104DD80 , 4M104DD84 , 4M104GG03 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH17 , 5F048AA00 , 5F048AA08 , 5F048AC03 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB08 , 5F048BB13 , 5F048BC06 , 5F048BD04 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BG13 , 5F048DA23 , 5F110AA03 , 5F110CC10 , 5F110EE05 , 5F110EE31 , 5F110GG22 , 5F110HK05 , 5F110HK40 , 5F140AA05 , 5F140AA10 , 5F140AA21 , 5F140AB03 , 5F140BB01 , 5F140BB05 , 5F140BF04 , 5F140BF18 , 5F140BF21 , 5F140BF28 , 5F140BF32 , 5F140BF51 , 5F140BG08 , 5F140BG30 , 5F140BG34 , 5F140BG44 , 5F140BG45 , 5F140BG54 , 5F140BG56 , 5F140BH09 , 5F140BH10 , 5F140BH14 , 5F140BH15 , 5F140BH36 , 5F140BH49 , 5F140BJ08 , 5F140BJ11 , 5F140BJ18 , 5F140BJ30 , 5F140BK02 , 5F140BK03 , 5F140BK12 , 5F140BK21 , 5F140BK29 , 5F140BK34 , 5F140BK38 , 5F140BK39 , 5F140CB04 , 5F140CE18 , 5F140CE20 , 5F140CF04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-158592 Applicant：株式会社半導体先端テクノロジーズ
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-305029 Applicant：富士通株式会社
半導体プロセスにシリサイドコンタクトを使用する方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2004-515734 Applicant：アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド

Cited by examiner (3)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-158592 Applicant：株式会社半導体先端テクノロジーズ
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-305029 Applicant：富士通株式会社
半導体プロセスにシリサイドコンタクトを使用する方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2004-515734 Applicant：アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド

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