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J-GLOBAL ID：200903007495358020

半導体装置及びその製造方法及びその実装構造

Inventor： 川原 登志実 ,  大澤 満洋 ,  森岡 宗知 ,  新間 康弘 ,  小野寺 正徳 ,  深澤 則雄 ,  河西 純一
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997181132
Publication number (International publication number)：1999026642
Application date： Jul. 07, 1997
Publication date： Jan. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】本発明はチップサイズパッケージ構造を有した半導体装置及びその製造方法及びその実装構造に関し、半導体装置の端子レイアウトの自由度を高めると共に信頼性の向上を図ることを課題とする。【解決手段】単数または複数の半導体素子12と、この半導体素子12を封止する封止樹脂16Aと、封止樹脂16A内に配設されて半導体素子12と電気的に接続する共にその端部が封止樹脂16Aの側面に露出して側部端子20を形成する電極板14Aと、この電極板14Aに配設され封止樹脂16Aの底面から露出する突出端子18とを設ける。この電極板14Aは、半導体素子12で発生する熱を放熱すると共に、封止樹脂16Aの補強材として機能する。

Claim (excerpt)：

単数または複数の半導体素子と、前記半導体素子の一部或いは全部を封止する封止樹脂と、前記封止樹脂内に配設され、前記半導体素子と電気的に接続する共にその一部が少なくとも前記封止樹脂の側面に露出して外部接続端子を形成する電極板とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 23/28 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12

FI (4)：

H01L 23/28 A ,  H01L 21/56 R ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/12 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 樹脂封止型半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-215524   Applicant：大日本印刷株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-164225   Applicant：富士通株式会社
• 表面実装型半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-257306   Applicant：大日本印刷株式会社
• 半導体パッケージおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-226416   Applicant：日本電気株式会社