半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：伊藤洋二 , 三浦高広 , 水野史博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003184757
Publication number (International publication number)：2005019830
Application date： Jun. 27, 2003
Publication date： Jan. 20, 2005
Summary：

【課題】半導体ウェハの一面側にメッキにより形成されたメッキ膜を形成するとともに、半導体ウェハをその他面側から薄肉化するようにした半導体装置の製造方法において、半導体ウェハの反りを極力抑制する。【解決手段】半導体ウェハ100の一面100a側に無電解メッキにより形成されたNiメッキ膜13aを形成するとともに、半導体ウェハ100の他面100b側から半導体ウェハ100を研削して薄肉化するようにした半導体装置の製造方法において、半導体ウェハ100を薄肉化する工程を、Niメッキ膜13aを形成する工程の前に行う。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

半導体ウェハ(100)の一面(100a)側にメッキにより形成されたメッキ膜(13a)を形成するとともに、前記半導体ウェハ(100)を前記一面(100a)とは反対側の他面(100b)側から薄肉化するようにした半導体装置の製造方法において、前記半導体ウェハ(100)を薄肉化する工程を、前記メッキ膜(13a)を形成する工程の前に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L21/304 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L29/41 , H01L29/78

FI (9)：

H01L21/304 631 , H01L21/288 E , H01L29/78 652L , H01L29/78 652Q , H01L29/78 655C , H01L21/88 T , H01L29/44 L , H01L29/78 658F , H01L29/78 658Z

F-Term (20)：

4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104FF02 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG18 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH13 , 5F033HH18 , 5F033MM30 , 5F033PP15 , 5F033PP28 , 5F033QQ47 , 5F033RR22 , 5F033SS21 , 5F033VV07 , 5F033XX19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-002551 Applicant：富士通株式会社
半導体装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-087950 Applicant：株式会社豊田中央研究所, トヨタ自動車株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-195171 Applicant：シチズン時計株式会社

Show all

Return to Previous Page