Pat
J-GLOBAL ID:200903007535217980
半導体装置の製造方法
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
井上 俊夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998321537
Publication number (International publication number):2000150516
Application date: Oct. 27, 1998
Publication date: May. 30, 2000
Summary:
【要約】【課題】 例えば層間絶縁膜としてフッ素添加カ-ボン膜を用いた半導体装置を簡易な手法のデュアルダマシン法で製造すること。【解決手段】 基板2に絶縁膜例えばSiO2 膜3を成膜した後、当該SiO2膜3にビアホ-ル31をエッチングし、次いでSiO2 膜3の上面に上部絶縁膜例えばCF膜4を成膜する。ここで埋め込み特性の悪い成膜材料例えばC6 F6ガスをプラズマ化することにより前記CF膜の成膜を行うと、ビアホ-ル31内へのCF膜の埋め込みを抑えながらSiO2 膜3の上面にCF膜4を成膜できる。続いてCF膜4に溝41をエッチングすることにより、溝41とビアホ-ル31とが一体となったデュアルダマシン形状を容易に製造することができる。
Claim (excerpt):
被処理体上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜にビアホ-ルをエッチングする工程と、ビアホ-ルが形成された絶縁膜の表面に、埋め込み特性の悪い成膜材料を用いて上部絶縁膜を形成する工程と、前記上部絶縁膜に、金属を埋め込むことにより配線を形成するための溝を前記ビアホ-ルの少なくとも一部に接触するようにエッチングする工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5):
H01L 21/3205
, H01L 21/3065
, H01L 21/31
, H01L 21/314
, H01L 21/768
FI (5):
H01L 21/88 B
, H01L 21/31 C
, H01L 21/314 A
, H01L 21/302 J
, H01L 21/90 C
F-Term (80):
5F004AA11
, 5F004BA14
, 5F004DA00
, 5F004DA01
, 5F004DA24
, 5F004DA26
, 5F004DB03
, 5F004DB07
, 5F004DB08
, 5F004DB23
, 5F004DB25
, 5F004DB26
, 5F004EA03
, 5F004EA07
, 5F004EA26
, 5F004EB01
, 5F004EB02
, 5F004EB03
, 5F033HH11
, 5F033JJ11
, 5F033MM02
, 5F033QQ09
, 5F033QQ11
, 5F033QQ27
, 5F033QQ28
, 5F033QQ37
, 5F033QQ48
, 5F033QQ76
, 5F033QQ92
, 5F033QQ93
, 5F033RR01
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR09
, 5F033RR11
, 5F033RR21
, 5F033RR22
, 5F033RR23
, 5F033RR24
, 5F033RR25
, 5F033RR26
, 5F033SS01
, 5F033SS02
, 5F033SS15
, 5F033SS22
, 5F033TT02
, 5F033TT04
, 5F033XX12
, 5F033XX24
, 5F033XX33
, 5F045AA10
, 5F045AB06
, 5F045AB33
, 5F045AB39
, 5F045AC01
, 5F045AC07
, 5F045AD07
, 5F045DC51
, 5F045DC61
, 5F045DC63
, 5F045HA03
, 5F045HA13
, 5F058AC03
, 5F058AC04
, 5F058AC05
, 5F058AF04
, 5F058AG04
, 5F058AH02
, 5F058BA20
, 5F058BC02
, 5F058BC08
, 5F058BD02
, 5F058BD03
, 5F058BD10
, 5F058BD18
, 5F058BF09
, 5F058BF23
, 5F058BH12
, 5F058BJ01
, 5F058BJ02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-289271
Applicant:ソニー株式会社
-
低誘電率非晶質フッ素化炭素皮膜およびその製法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-022701
Applicant:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-311384
Applicant:新日本製鐵株式会社
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-064962
Applicant:ソニー株式会社
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