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J-GLOBAL ID：200903007648742711

SiCN薄膜の形成方法

Inventor： 阿川 義昭 ,  木内 正人 ,  松谷 貴臣
Applicant, Patent owner： 株式会社アルバック ,  独立行政法人産業技術総合研究所
Agent (1)： 打揚 洋次 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001374123
Publication number (International publication number)：2003171767
Application date： Dec. 07, 2001
Publication date： Jun. 20, 2003
Summary：

【要約】【課題】 低温で、簡単かつ再現性良くSiCN薄膜を形成する方法の提供。【解決手段】 材料ガスとしてヘキサメチルジシランを気化せしめて得たガスを用い、該ガスを成膜チャンバー内の基板上に吹き付け、一方、イオン源により窒素ガスから窒素イオンビームを発生させ、該イオンビームを該材料ガスの吹き付けと同時に基板上に300eV以下で照射し、300°C以下でSiCN薄膜を形成する。

Claim (excerpt)：

成膜チャンバー内に設置された基板上にSiCN薄膜を形成する方法であって、有機ケイ素を気化せしめて得た材料ガスを該基板上に吹き付け、一方、質量分離機構を有しないイオンビーム照射装置により発生させたプラズマ生成用ガスのイオンビームを該材料ガスの吹き付けと同時に該基板上に照射し、300°C以下でSiCN薄膜を形成することを特徴とするSiCN薄膜の形成方法。

IPC (2)：

C23C 16/42 ,  H01L 21/318

FI (2)：

C23C 16/42 ,  H01L 21/318 B

F-Term (12)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA41 ,  4K030FA12 ,  4K030HA16 ,  4K030JA10 ,  4K030JA17 ,  4K030LA18 ,  5F058BC20 ,  5F058BF07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• シリコン系化合物膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-198645   Applicant：日新電機株式会社