Pat
J-GLOBAL ID:200903007794728682
検査方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
古谷 史旺 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999083406
Publication number (International publication number):2000277577
Application date: Mar. 26, 1999
Publication date: Oct. 06, 2000
Summary:
【要約】【課題】 電子ビームを用い、集積回路が形成された試料の表面層を非破壊で高速に検査可能な検査方法を提供する。【解決手段】 試料に対して面状の電子ビームを照射する工程と、試料から発生する二次ビームを所定面に結像させる工程とを有し、二次ビームを所定面に結像させる結像条件が、電子ビームの照射による表面層の帯電状態に応じて異なると共に、該帯電状態が前記表面層の物理特性に対応することに基づいて、表面層の構造および材質の少なくとも一方を判別する。
Claim (excerpt):
試料の表面層を検査する検査方法であって、前記試料に対して面状の電子ビームを照射する工程と、前記試料から発生する二次ビームを所定面に結像させる工程とを有し、前記二次ビームを前記所定面に結像させる結像条件が、前記電子ビームの照射による前記表面層の帯電状態に応じて異なると共に、該帯電状態が前記表面層の物理特性に対応することに基づいて、前記表面層の構造および材質の少なくとも一方を判別することを特徴とする検査方法。
IPC (3):
H01L 21/66
, G01R 31/302
, H01J 37/29
FI (3):
H01L 21/66 J
, H01J 37/29
, G01R 31/28 L
F-Term (36):
2G032AF08
, 4M106AA01
, 4M106AA20
, 4M106BA02
, 4M106CB21
, 4M106DH12
, 4M106DH24
, 4M106DH33
, 4M106DH37
, 4M106DH38
, 4M106DH60
, 4M106DJ04
, 4M106DJ18
, 4M106DJ19
, 4M106DJ20
, 4M106DJ24
, 9A001BB01
, 9A001BB03
, 9A001BB04
, 9A001BB05
, 9A001EE05
, 9A001HH21
, 9A001HH23
, 9A001HH24
, 9A001HH27
, 9A001HH28
, 9A001HH34
, 9A001KK15
, 9A001KK16
, 9A001KK31
, 9A001KK35
, 9A001KK36
, 9A001KK37
, 9A001KK42
, 9A001LL02
, 9A001LL05
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
-
荷電粒子ビームによる半導体ウエハー検査装置及び検査方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-161124
Applicant:日本電気株式会社
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-049241
Applicant:松下電子工業株式会社
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