微細パターンの形成方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：富村潔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997230485
Publication number (International publication number)：1998112440
Application date： Aug. 13, 1997
Publication date： Apr. 28, 1998
Summary：

【要約】【課題】微細パターンの実装密度を一層良好に調整し、微細パターンの大きさを調整することのできる微細パターンの製造方法を提供する。【解決手段】基板1〜3の表面上にCVD法でキャリアガス中にSiH4及びGeH4を含む第1のプロセスガスの使用下に微細パターンの寸法を決定する結晶核4を形成し、これらの結晶核4を例えばエッチング又は注入時のマスクとしし、また能動的又は受動的構成部材としてパターンに残留させる。

Claim (excerpt)：

基板(1、2、3)の表面上にキャリアガス中にSiH4及びGeH4を含む第1のプロセスガスの使用下にCVD法で微細パターンの大きさを決定する結晶核(4)を形成し、結晶核(4)が所定の密度に達すると直ちに第1のプロセスガスを使用してのCVD法を中止し、SiCl2H2及び/又はGeH4をキャリアガス中に含む第2のプロセスガスの使用しての選択エピタキシーにより結晶核(4)の大きさを調整することを特徴とする微細パターンの形成方法。

IPC (7)：

H01L 21/205 , H01L 21/266 , H01L 21/3065 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5)：

H01L 21/205 , H01L 21/265 M , H01L 21/302 J , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平4-267324
半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-316611 Applicant：日本電気株式会社
気相核生成を利用したポリシリコンのテクスチヤ化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-116697 Applicant：マイクロン・テクノロジー・インコーポレイテッド

Show all

Return to Previous Page