Pat

J-GLOBAL ID：200903008010078870

微細パターンの形成方法

Inventor： ヘルベルト シエーフアー ,  マルチン フラノシユ ,  ラインハルト シユテングル ,  フオルカー レーマン ,  ハンス ライジンガー ,  ヘルマン ウエント
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 富村 潔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997230485
Publication number (International publication number)：1998112440
Application date： Aug. 13, 1997
Publication date： Apr. 28, 1998
Summary：

【要約】【課題】 微細パターンの実装密度を一層良好に調整し、微細パターンの大きさを調整することのできる微細パターンの製造方法を提供する。【解決手段】 基板1〜3の表面上にCVD法でキャリアガス中にSiH4及びGeH4を含む第1のプロセスガスの使用下に微細パターンの寸法を決定する結晶核4を形成し、これらの結晶核4を例えばエッチング又は注入時のマスクとしし、また能動的又は受動的構成部材としてパターンに残留させる。

Claim (excerpt)：

基板(1、2、3)の表面上にキャリアガス中にSiH4及びGeH4を含む第1のプロセスガスの使用下にCVD法で微細パターンの大きさを決定する結晶核(4)を形成し、結晶核(4)が所定の密度に達すると直ちに第1のプロセスガスを使用してのCVD法を中止し、SiCl2H2及び/又はGeH4をキャリアガス中に含む第2のプロセスガスの使用しての選択エピタキシーにより結晶核(4)の大きさを調整することを特徴とする微細パターンの形成方法。

IPC (7)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/266 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/265 M ,  H01L 21/302 J ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開平4-267324
  
• 半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-316611   Applicant：日本電気株式会社
• 気相核生成を利用したポリシリコンのテクスチヤ化方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-116697   Applicant：マイクロン・テクノロジー・インコーポレイテッド
• 半導体装置のキャパシタ及びその製造方法並びに該キャパシタを備えた半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-148419   Applicant：三星電子株式会社
• 電荷トラツプ膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-313313   Applicant：ローム株式会社
• 不揮発性記憶素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-324684   Applicant：ソニー株式会社