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J-GLOBAL ID：200903008175299170

電子部品

Inventor： 金谷 宏行 ,  望月 博
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995072677
Publication number (International publication number)：1996274270
Application date： Mar. 30, 1995
Publication date： Oct. 18, 1996
Summary：

【要約】【目的】 強誘電体薄膜の信頼性・耐久性に優れた電子部品を提供することを目的とする。【構成】 ドレイン領域13上にドレイン電極15が形成され、この上に下部電極16・強誘電体薄膜17・上部電極18が順に積層されている。下部電極16は、PtSi膜161 ・PtO2 膜162 ・Pt膜163 からなり、上部電極18はPtO2 膜181 ・Pt膜182 からなる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、Pbを含む強誘電体薄膜を介して形成された1対の電極を備えた電子部品において、前記電極がV、Cr、Rh、Ptの少なくとも1種を含むルチル型導電性酸化物を含有することを特徴とする電子部品。

IPC (8)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平4-085878
  
• 半導体メモリの記憶用キヤパシタおよびその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-178614   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-216891   Applicant：株式会社日立製作所
• 強誘電性素子のための多層電極
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-086509   Applicant：シャープ株式会社
• 特開平4-085878