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J-GLOBAL ID：200903008233346655

テンプレート基板

Inventor：
岡川 広明

About 岡川 広明

, 
平岡 晋

About 平岡 晋


Applicant, Patent owner：
三菱電線工業株式会社

About 三菱電線工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006143449
Publication number (International publication number)：2007314360
Application date： May. 23, 2006
Publication date： Dec. 06, 2007
Summary：
【課題】製造効率の改善されたテンプレート基板と、その製造方法を提供すること。また、大きな反りの発生が防止されたテンプレート基板と、その製造方法を提供すること。【解決手段】異種基板上に窒化物半導体からなる結晶層を積層してなるテンプレート基板の製造の際に、異種基板の結晶成長面を選択成長用のマスクで部分的に覆い、該マスクの上方において窒化物半導体結晶を横方向に成長させることによって、横方向成長により形成される結晶の大面積化を図るにあたり、該マスクをMg化合物で形成する。窒化物半導体結晶の成長時にマスクの劣化が発生しても、Mg化合物からなるマスクからは窒化物半導体結晶の横方向成長を促進するMgが放出されるので、該結晶の横方向成長が抑制されることがない。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
異種基板上に窒化物半導体からなる結晶層を積層してなるテンプレート基板であって、 前記異種基板と前記結晶層とに挟まれた位置に、マグネシウム化合物からなる選択成長用マスクを含んでいるテンプレート基板。
IPC (2)：
C30B 29/40 ,  C30B 29/38
FI (4)：
C30B29/40 502J ,  C30B29/38 D ,  C30B29/38 C ,  C30B29/38 Z
F-Term (9)：
4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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