窒化物半導体構造とその製法および発光素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小池隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999216110
Publication number (International publication number)：2000106455
Application date： Jul. 30, 1999
Publication date： Apr. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】従来の窒化物半導体膜製造技術では、SiO2層によって構成されたマスクパターンを用いた選択成長技術が開発されている。しかし、SiO2層を用いたマスクパターンは熱的損傷を受けやすく、熱的損傷を受けたマスクパターンの構成要素であるSiまたはO2は窒化物半導体膜に悪影響をもたらし、そのため作製された窒化物半導体発光素子は、発光効率の低下と個々の発光素子の発光効率のばらつきによる製品の信頼性低下を招くと共に、窒化物半導体発光素子生産の歩留まりを低下させるという問題があった。【解決手段】本発明の窒化物半導体構造は、基板上に形成された窒化物半導体膜を有し、前記基板の成長面には凹部と凸部が設けられ、前記凹部では、前記窒化物半導体膜と前記基板との間に空洞を有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

凹部及び凸部を成長面に設けた基板と、前記成長面上に形成された窒化物半導体膜とを有し、前記凹部において前記窒化物半導体膜と前記基板との間に空洞を有することを特徴とする窒化物半導体構造。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01S 5/323

FI (3)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205 , H01S 5/323

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

トレンチ側壁からの横方向成長による窒化ガリウム半導体層の製造
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-553988 Applicant：ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ
窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-119377 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-322132 Applicant：豊田合成株式会社

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