Pat

J-GLOBAL ID：200903008252730229

相変化メモリ装置

Inventor： 戸田 春希
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (2)： 伊丹 勝 ,  田村 和彦
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004569564
Publication number (International publication number)：2006514392
Application date： Mar. 18, 2003
Publication date： Apr. 27, 2006
Summary：

相変化メモリ装置は、基板と、前記基板上に積層されて、それぞれに相変化により決まる抵抗値をデータとして記憶する複数のメモリセルがマトリクス配列された複数のセルアレイと、前記複数のセルアレイ内の近接する二つメモリセルをペアセルとして選択して、その一方を高抵抗値、他方を低抵抗値状態に書き込む書き込み回路と、前記ペアセルの相補的な抵抗値状態を1ビットデータとして読み出す読み出し回路とを有する。

Claim (excerpt)：

基板と、 前記基板上に積層されて、それぞれに相変化により決まる抵抗値をデータとして記憶する複数のメモリセルがマトリクス配列された複数のセルアレイと、 前記複数のセルアレイ内の近接する二つメモリセルにより構成されるペアセルに、その一方を高抵抗値、他方を低抵抗値状態に書き込む書き込み回路と、 前記ペアセルの相補的な抵抗値状態を1ビットデータとして読み出す読み出し回路とを有する ことを特徴とする相変化メモリ装置。

IPC (2)：

G11C 13/00 ,  H01L 27/105

FI (2)：

G11C13/00 A ,  H01L27/10 448

F-Term (8)：

5F083FZ10 ,  5F083GA10 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083KA20 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083PR01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• ユニバーサルメモリ素子を使用するシステムを有するユニバーサルメモリ素子と、同メモリ素子を読み取り、書き込み、またプログラムするための装置と方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-611284   Applicant：エナージーコンバーションデバイセスインコーポレイテッド
• 磁気メモリ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-332280   Applicant：三洋電機株式会社
• 垂直スタック型フィールド・プログラマブル不揮発性メモリおよびその製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-583042   Applicant：マトリックスセミコンダクターインコーポレーテッド