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J-GLOBAL ID：200903008281359688
フォトマスクの形成方法及び半導体装置の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
竹村 壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999373343
Publication number (International publication number)：2001188337
Application date： Dec. 28, 1999
Publication date： Jul. 10, 2001
Summary：
【要約】【課題】 透明基板にダミーパターンを介在させることにより密集パターン及び孤立パターンのパターン寸法差が低減する半導体マスクを形成する。【解決手段】 第1のステップで領域Aに遮光膜し、領域Bの全域に遮光膜を同時に形成するように、フォトレジストを通常の技術でパターニング処理を行い、領域Aの遮光膜11a、11b、11c及び領域Bの遮光膜12を形成したマスクを作成し、第2のステップとして、第1のステップで作成した透明基板10上の遮光膜を被覆するようにフォトレジスを塗布形成し、このフォトレジストを通常の技術でパターニング処理を行って領域Aのみ被覆して領域Bの遮光膜を除去することによって領域Aにのみ遮光膜のパターンが形成された半導体マスクを形成する。マスク形成工程中におけるダミーパターンの介在が密集パターン(11a)及び孤立パターン(11b、11c)が混在する半導体マスク(フォトマスク)において両者のパターン寸法差を低減させる。
Claim (excerpt)：
透明基板上に遮光膜及び第1のレジストを順次積層する工程と、前記第1のレジストをパターニングし、このパターニングされた前記第1のレジストをマスクに前記遮光膜をエッチングし、エッチング後前記パターニングされた第1のレジストを除去して、前記遮光膜からなる1つの遮光パターンもしくは複数の遮光パターンが近接して配置された第1の領域と、前記遮光パターンとは離隔して配置された前記遮光膜からなるダミーパターンから構成された第2の領域とを主面に有する透明基板を形成する工程と、前記透明基板主面上に前記遮光膜を被覆するように第2のレジストを形成する工程と、前記第2のレジストをパターニングして、前記第2のレジストで前記第1の領域を被覆する工程と、前記第2の領域のダミーパターンを前記第2のレジストをマスクにしてエッチング除去する工程と、前記第1の領域を被覆している前記第2のレジストを除去する工程とを備えていることを特徴とするフォトマスクの形成方法。
IPC (2)：
G03F 1/08
, G03F 7/26 511
G03F 1/08 L
, G03F 7/26 511
2H095BA07
, 2H095BB03
, 2H095BB10
, 2H095BB14
, 2H095BB18
, 2H095BB36
, 2H095BC01
, 2H095BC04
, 2H096AA25
, 2H096AA28
, 2H096EA06
Cited by examiner (8)
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